国家/地区 韩国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3） H01（3） C23（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B032/186（2） C23C016/26（2） C23C016/505（2）
C23C016/511（2） H01L021/285（2） H01L021/768（2）
发明人 SHIN H（3）
公开年 2022（2）
申请年 2022（3）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（3）

Manufacture of wiring used in electronic device, involves growing graphene layer on substrate using plasma of hydrocarbon at specific temperature by plasma enhanced chemical vapor deposition, and doping graphene layer with metal.

LEE C, LEE M, SHIN H, BYUN K, KIM K, SHIN K, SHIN K W, KIM K B, BYUN K E, SHIN H J, HYUN L, LEE C S

Soluble graphene quantum dot used in light-emitting material and organic light-emitting device, comprises anthracenyl N-alkyl maleimide functional group at edge.

SHIN H, NIU W, MUELLEN K, LIU J, WU F, FENG X, KIM S, LIANG P, WHOOPENG, MULLEN K, WENHUI N, SHIN H J

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S