国家/地区 韩国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） C23（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C23C016/40（2）
发明人 LEE C（2）
公开年
申请年
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2）

Graphene interconnect structure useful for electronic device comprises first oxide dielectric layer including porous silicon oxide, or amorphous boron nitride, second oxide dielectric layer including aluminum oxide and graphene layer.

KIM C, BYUN K E, SHIN K W, LEE C S, BAEKWON P, PARK B, LEE C, SHIN K, BYUN K

Method for fabricating graphene nano-mesh in e.g. transparent display device, involves forming graphene nano-mesh including openings by etching oxide layer, and transferring graphene nano-mesh onto substrate after removing catalyst layer.

LEE J, KIM Y, LEE C, LEE J H, KIM Y S, LEE C S