国家/地区 韩国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B01（2）
IPC小类 B01J（2）
IPC B01J027/047（2）
发明人 KIM T S（2） SEOK H H（2） WOO K H（2）
公开年 2021（2）
申请年
专利权人 UNIV SUNGKYU.（2）

Producing octahedral transition metal dichalcogenides involves forming transition metal layer on substrate and injecting chalcogenide-containing gas onto the substrate together with plasma treatment.

VINIT K, KIM H U, LEE J, SEOK H, KIM T, KIM T S, SEOK H H, WOO K H, CANADEVINIT

Manufacturing transition metal dichalcogenide-graphene heterojunction electrode comprises transferring graphene to electrode, depositing transition metal layer on graphene-transferred electrode and injecting plasma-treated sulfur gas.

KIM T S, SEOK H H, LEE I, WOO K H