国家/地区 欧洲专利局（EPO）（3） 日本（3） 韩国（3） 美国（3） 世界知识产权组织（3） 中国（2） 印度（2） 墨西哥（2） 俄罗斯（2） 台湾（2）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3） C01（3） C30（3）
B32（2） C23（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（3）
IPC B82Y030/00（3）
发明人 VEERASAMY V（2） VEERASAMY V S（2）
公开年 2011（2）
申请年 2009（3）
专利权人 GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND（2） GUARDIAN IND.（2）

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Method for isolating graphene thin film involves causing graphene thin film and polymer-based coating to be released from catalyst thin film, after curing polymer-based coating.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Manufacture of graphene/silicon carbide composite material for electronic component e.g. semiconductor, involves removing oxide film from surface of silicon carbide single crystal substrate, exposing and heating.

KUSUNOKI M, NORIMATSU W