国家/地区 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B32（2） C30（2）
IPC小类 B32B（2）
IPC
发明人
公开年 2010（2）
申请年 2008（2）
专利权人

Controlled growth of graphene film comprises preparing substrate of metal layer having phase diagram with carbon on surface to obtain homogeneous solid solution, exposing layer to controlled flow e.g. carbon atoms and changing the phase.

BARATON L, COJOCARU C S, PRIBAT D, COJOCARU C

Formation of graphene layer comprises establishing insulating layer on substrate to form seed region and exposing seed material in seed region to carbon-containing precursor gas.

KAMINS T I, QUITORIANO N, WILLIAMS R S