国家/地区 中国（2） 美国（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C23（3）
IPC小类 C23C（3） C30B（3） H01L（3）
B82Y（2） C01B（2）
IPC C23C016/26（3）
发明人
公开年 2013（2）
申请年 2012（3）
专利权人 UNIV XIDIAN（2）

Forming cleaned nanotube-graphene hybrid thin film on a substrate, comprises depositing the nanotube thin-film over a substrate to produce a layer of nanotube thin-film, and removing impurities from surface of layer of nanotube thin-film.

BOL A A, CHANDRA B, KASRY A, MAAROUF A, MARTYNA G J, TULEVSKI G S

Direct epitaxial method of graphene by chemical vapor deposition using II-VI semiconductor zinc oxide substrate where graphene-zinc oxide composite is used for piezoelectric device comprises pre-processing substrate and growing graphene.

ZHANG J, HAN D, NING J, HAO Y, CHAI Z, WANG D, YAN Y

Manufacture of graphene on silicon carbide substrate involves producing double-layer carbon membrane, depositing nickel film on silicon substrate, placing carbon surface of double-layer carbon membrane on nickel membrane, and annealing.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG K, ZHANG Y