国家/地区 韩国（3） 美国（3） 世界知识产权组织（3） 中国（2） 欧洲专利局（EPO）（2） 日本（2） 台湾（2）
IPC部 B（3） C（3）
IPC大类 B82（3）
IPC小类 B82Y（3）
IPC B82Y030/00（3）
发明人
公开年 2013（2）
申请年 2012（3）
专利权人

Manufacture of graphene oxide reduced material for forming electrode for silicon-based semiconductor, involves synthesizing graphite oxide flakes from graphite flakes and forming graphene oxide dispersion solution.

JEONG S, LEE G, HAN J, JEONG H, KIM S, HAN J T, JEONG H J, JEONG S Y, KIM S H, LEE G W

Segmented graphene nanoribbon useful for generating heterojunctions and heterostructures, comprises at least two different graphene segments covalently linked to each other.

BLANKENBURG S, CAI J, FASEL R, FENG X, MUELLEN K, PASSERONE D, PIGNEDOLI C, RUFFIEUX P, MULLEN K, PIGNEDOLI C A, TSAI J, CAI Y

Composite material is formed by base material comprising resin, and graphene-like carbon material which covers at least one portion of surface of base material.

IHARA H, NAKASUGA A, NOZATO S, TAKAFUJI M, GANAPATHY H S, TAKATO M, GANAPASE H S