国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B032/186（2）
发明人 CHO Y C（2）
公开年
申请年
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2）

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Formation of nanocrystalline graphene used for semiconductor device, involves arranging substrate in chamber, forming protective layer, injecting reaction gas, generating plasma, and growing nanocrystalline graphene on protective layer.

JUNG A, SHIN K, BYUN K, SHIN H, LIM H, NAM S, SONG H, CHO Y, JUNG A R, SHIN K W, BYUN K E, SHIN H J, LIM H S, NAM S G, SONG H J, CHO Y C