国家/地区 日本（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C23C016/01（2）
发明人
公开年 2017（2）
申请年 2016（2） 
专利权人

Manufacturing method of semiconductor device, by forming graphene layer on first substrate, transferring graphene layer from first substrate to second substrate, and forming single-crystalline film on graphene layer.

KIM J

Graphene film used for manufacture of composite for transistor, has wrinkle density of less than preset value.

AOTA N, AIDA H