国家/地区 中国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B01（2）
IPC小类 B01J（2）
IPC B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） C01B031/02（2）
C01B031/04（2） C23C016/26（2）
发明人
公开年 2011（2）
申请年 2010（2）
专利权人

Fabricating graphene to fabricate FET, comprises forming alloy catalyst layer on substrate using sputtering method and/or evaporation method, and forming graphene layer on alloy catalyst layer by supplying hydrocarbon gas onto substrate.

WOO Y, SEO D, SEO S, CHUNG H, KANG S, HEO J, SEO S A, CHUNG H J, KANG S R, HEO J S, WOO Y S, JUNG H J, HUH J S, YEO R, XU D, HUH J, JUNG H

Producing graphene, comprises introducing a solution of a metal alkoxide in a solvent into a decomposition apparatus, which includes a first region having a high temperature to cause thermal decomposition of the metal alkoxide.

COLEMAN K S