国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C23C016/06（2）
发明人 SHIN H（2）
公开年
申请年
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Stacking structure for use in electronic device, has intermediate layer placed on graphene layer that is formed from linear type precursor, and material layer placed on intermediate layer and formed through atomic layer deposition.

JEONG S, PARK S, SHIN H, GU Y, KIM H, YANG J, GU Y H, JEONG S J, KIM H S, PARK S J, SHIN H J, YANG J H

Making graphene structure involves depositing metal layer over silicon carbide substrate, and performing first heat treatment on substrate over which metal layer is deposited to form composite layer and electrically neutral graphene layer.

AHN J, SHIN H, SONG I, AHN J R, SHIN H C, SONG I K