国家/地区 CN（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C23（2）
IPC小类 C23C（2）
IPC C23C014/58（2）
发明人
公开年
申请年 2021（2）
专利权人

Preparing a metal wafer substrate involves forming metal thin film on the sapphire substrate by magnetron sputtering, and annealing under mixed atmosphere of hydrogen and argon.

PENG H, YANG Y, CAO Y, TANG J, YAN R, DU Y

Preparing two-dimensional compound semiconductor thin film useful in micro-nano electronic device, comprises placing insulating substrate with single-layer two-dimensional layered material/metal oxide film vertical heterostructure on surface in heating device, and introducing carrier gas.

SHI Z, ZHANG C, ZHU H, WU T, GAO B