国家/地区 美国（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/02（2） C23C016/26（2）
发明人
公开年 2012（2）
申请年 2010（2）
专利权人

Formation of graphene-based device used in electronic field, involves depositing carbon on substrate having dielectric material, annealing carbon-deposited substrate, and forming ordered graphene on dielectric material.

KELBER J A, GADDAM S S, BJELKEVIG C L

Forming recrystallized metal layer for growing graphene monolayer involves forming metal layer on substrate; forming layer of dielectric material on the metal layer; and directionally recrystallizing the metal layer.

YAGER T A