国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C30（2）
IPC小类 C30B（2）
IPC C30B025/18（2）
发明人 ZHANG J（2）
公开年 2020（2）
申请年 2018（2） 
专利权人

Preparing gallium nitride/aluminium gallium nitride (GaN/AlGaN) heterojunction material based on single crystal diamond substrate involves selecting single crystal diamond substrate, coating graphene layer on crystal diamond substrate.

REN Z, ZHANG Y, ZHANG J, NING J, HAO Y

Preparing continuous single-layer single-crystal graphene film comprises electrochemically polishing the single crystal copper, then further performing graphene growth on the single crystal copper substrate.

WU B, ZHANG J, LIU Y