国家/地区 日本（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B01（2） B82（2） C01（2）
IPC小类 B01J（2）
IPC B01J037/08（2）
发明人
公开年 2013（2）
申请年
专利权人

Manufacture of catalyst metal layer for manufacturing graphene raw material used for transistor, involves forming film of catalyst metal, heating catalyst metal in high-temperature area and reducing temperature of catalyst metal.

NARITSUKA S, MARUYAMA T

Carbonaceous material used for e.g. electrode catalyst, comprises graphene doped with metal atom and at least one type of nonmetallic atom chosen from nitrogen atom, boron atom, sulfur atom, and phosphorus atom.

NAKANISHI S, KAMAI R, SUZUKI Y, HASHIMOTO K, KAMIYA K