国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B01（2）
IPC小类 B01J（2）
IPC C01B031/04（2）
发明人 KIM H（2）
公开年
申请年
专利权人

Method for forming multilayer graphene for e.g. stackable device, involves forming multilayer graphene on area of graphene at temperature by using source gas, where source gas used to form graphene is different from source gas.

HYOWON K, KIM H, KIM H W, JIN X

Manufacture of porous graphene element involves decomposing substitution source while depositing carbon monoatomic layer on substrate arranged inside deposition furnace.

HEE Y K, HYEON K G, KIM H, KWON G