国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2） C（2）
IPC大类 B05（2）
IPC小类 B05D（2）
IPC C01B031/04（2）
发明人
公开年
申请年
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（2）

Graphene structure has graphene layer which is provided on substrate, and is included with several convex portions of hollow structure.

KU J, KO W, KIM H, KU J Y, KO W H, KIM H W

Fabricating graphene to fabricate FET, comprises forming alloy catalyst layer on substrate using sputtering method and/or evaporation method, and forming graphene layer on alloy catalyst layer by supplying hydrocarbon gas onto substrate.

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