国家/地区 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B05（2）
IPC小类 B05D（2）
IPC C01B031/04（2）
发明人
公开年 2013（2）
申请年 2012（2） 
专利权人

Fabricating graphene, comprises depositing graphene seed layer on substrate of base layer, depositing catalyst metal layer on substrate and graphene seed layer and introducing carbon atom to graphene seed layer.

PATIL V

Fabricating graphene structures, comprises fabricating a crystalline graphene layer on a surface, and subsequently decreasing crystallographic disorder of crystallographically disordered edges by heating crystalline graphene layer.

ARNOLD M S, GOPALAN P, SAFRON N S, KIM M, UNG K M