国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B32（2）
IPC小类 B32B（2）
IPC B32B038/10（2）
发明人
公开年 2014（2）
申请年 2013（2）
专利权人

Transferring graphene to fabricate graphene dual junction diode involves forming graphene layer by composing graphene and base layer; depositing self-assembled monolayer and separating combination layer of monolayer/graphene from base layer.

CHOI J S, YU Y, KIM J T, CHUNG K H, YOUN D H, CHOI C G, YU Y J

Method for transferring graphene to manufacture e.g. bipolar junction transistor, involves bonding graphene layer to target layer, and removing sacrificial layer using excimer laser to separate substrate from graphene layer.

WENXU X, LEE J, MOON C, PARK Y, YANG W, KIM Y, XIANYU W, LEE J Y, MOON C Y, PARK Y Y, YANG W Y, KIM Y S, LEE J H