国家/地区 韩国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B32（2）
IPC小类 B32B（2）
IPC B32B009/00（2）
发明人
公开年 2015（2）
申请年
专利权人

Stacking structure for use in electronic device, has intermediate layer placed on graphene layer that is formed from linear type precursor, and material layer placed on intermediate layer and formed through atomic layer deposition.

JEONG S, PARK S, SHIN H, GU Y, KIM H, YANG J, GU Y H, JEONG S J, KIM H S, PARK S J, SHIN H J, YANG J H

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K