国家/地区 中国（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3）
IPC小类 B82B（3）
IPC B82B003/00（3） B05D005/12（2） B82Y030/00（2）
B82Y040/00（2） C01B031/02（2） C01B031/04（2）
C01B032/188（2） C30B029/02（2） H01B001/04（2）
H01L021/02（2）
发明人 VEERASAMY V（2） VEERASAMY V S（2）
公开年 2011（2）
申请年 2009（3）
专利权人 GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND（2） GUARDIAN IND.（2）

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Method for isolating graphene thin film involves causing graphene thin film and polymer-based coating to be released from catalyst thin film, after curing polymer-based coating.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Method for providing electrical connection to portion of graphene layer used in e.g. microelectronic device, involves forming recess that create boundary between first portion of recess and second portion of recess.

HAQUE S, LEHTINIEMI R K, KARKKAINEN A M, LECHNER L, HAKONEN P, HAQUE S M, LEHTINIEMI R, KAERKKAEINEN A