国家/地区 中国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2）
IPC小类 B82B（2）
IPC B82B001/00（2） H01L021/02（2） H01L021/20（2）
H01L021/205（2） H01L029/06（2） H01L029/16（2）
发明人
公开年
申请年 2012（2）
专利权人

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T