国家/地区 欧洲专利局（EPO）（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2）
IPC小类 B82B（2）
IPC B82B001/00（2） B82B003/00（2） B82Y040/00（2）
C01B031/04（2） C23C016/26（2） H01L029/16（2）
发明人
公开年 2012（2）
申请年
专利权人

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Fabricating structure comprising graphene sheet equipped with metal pads, comprises synthesizing graphene sheet on many metal pads that are laid on membrane of dielectric material, and optionally eliminating the membrane.

ZENASNI A, CORAUX J, IVANOVAHRISTOVA V, LANDIS S, PERNEL C