国家/地区 中国（4）
IPC部 C（4）
IPC大类 C01（4） H01（4） B01（3）
B82（2） H05（2）
IPC小类 C01B（4）
IPC C01B031/04（4） B01J019/24（2） B82Y040/00（2）
C01B031/02（2） C01B032/182（2） C01B032/184（2）
H01B001/04（2） H01B013/00（2） H01M004/62（2）
发明人 LEE J（4）
公开年 2015（3）
申请年 2014（4）
专利权人 HANWHA CHEM .（2）

Production of graphene involves applying physical force to liquid dispersion of dispersing agent containing polyaromatic hydrocarbon oxide, and carbon-based material comprising graphite, and forming graphite into nano graphene flakes.

SOHN K N, YOO K H, KWON W J, LEE K S, YANG S B, KIM I Y, LEE M J, LEE J Y, SOHN K, YOO K, KWON W, LEE K, YANG S, KIM I, LEE M, LEE J, LI M, LI J

Modification of graphene involves obtaining graphene having desired crystal size by repeating graphene modification process several times with subcritical or supercritical carbon dioxide.

DO S H, LEE J S, JEON S Y, KONG J H, DO SEUNG H, DO S, LEE J, JEON S, KONG J

Graphene comprises oxygen atom content in predetermined range, and has carbon/oxygen weight ratio of predetermined range.

LEE J S, DO S H, JEON S Y, KONG J H, DO SEUNG H, LEE J, DO S, JEON S, KONG J

Graphene device used for electronic apparatus e.g. semiconductor device, consists of active layer, graphene layer, and electrode spaced apart from graphene layer and controls work function of graphene layer based on applied voltage.

SHIN H, BYUN K, SONG H, PARK S, SEO D, WOO Y, LEE D, LEE J, CHUNG H, HEO J, YOO I, SHIN H J, BYUN K E, SONG H J, PARK S J, WOO Y S, LEE D W, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S, YOO I K, JIN S H, EUN B G, JAE S H, JUN P S, SEOK S H, SEONG W Y, GYEONG Y I, UK L D, HO L J, JONG J H, SEONG H J, HUI D, HUH J, YEO R, JUNG H