国家/地区 日本（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B032/182（2）
发明人
公开年 2022（2）
申请年 2021（2）
专利权人 FUJITSU LTD（2）

Graphene element used as field effect transistor having top gate structure, comprises boron nitride layer having turbostratic structure, and graphene layer in contact with boron nitride layer.

KONDO O

Graphene nanoribbon used as channel for electronic device e.g. top gate-type field effect transistor and thin film transistor, is fused cyclic compound.

YAMAGUCHI J, HAYASHI H, YAMADA Y