国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC H01L021/02（2）
发明人
公开年
申请年
专利权人 ELECTRONICS TELECOM RES INST（2）

Forming heterojunction structure used e.g. in material engineering, comprises providing graphene pattern on substrate, applying current to heat graphene pattern and forming two-dimensional material layer on graphene pattern.

YU Y, JUN Y Y

Manufacture of via electrode involves forming via hole at substrate, forming catalyst layer at sidewall and bottom of via hole, and forming graphene layer in via hole by exposing the catalyst layer to solution mixed with graphene particles.

KIM D, BAEK K, PARK K, PARK J M, KIM Z S, KIM J Y, JEONG Y S, DO L, KIM D P, BAEK K H, DO LEE M