国家/地区 韩国（3）
IPC部 C（3） H（2）
IPC大类 C01（3） H01（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B031/04（3）
发明人
公开年 2016（3）
申请年 2014（3）
专利权人 POSTECH ACADIND FOUND（3）

Graphene with band gap, comprises graphene and alkali metal ion, and has controlled size.

JIN W C, SI J S

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device, involves forming protective layer on silicon carbide substrate into graphene, activating impurity, and removing protective layer.

KYEONG K C

New 2,2'-bipyridine-containing metallic complexes useful in graphene-metal complex composite for electronic device, preferably field-effect transistor, light detecting device, capacitor, battery, solar cell and light-emitting diode.

OH J H, LEE E K, LIU X