国家/地区 韩国（3） 美国（3）
IPC部 B（3） C（3） H（3）
IPC大类 B01（3） C01（3） H01（3）
B32（2） B82（2） C23（2）
IPC小类 B01J（3）
IPC B01J019/08（3）
发明人 SHIN H（3）
公开年
申请年 2011（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（3） UNIV SUNGKYU.（2）

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Controlling number of graphene layers to form mono/bilayer graphene, used e.g. in sensor, comprises forming graphene on first surface of first substrate, forming second substrate on second surface of first substrate and irradiating graphene.

SHIN H, CHOI J, HAN G, LEE Y, CHOI J Y, HAN G H, LEE Y H, SHIN H J

Forming graphene nano ribbon used in display device involves depositing graphene sheet on surface of substrate, forming plasma mask with nano pattern on sheet, and forming nano pattern in sheet by plasma treating stack structure having mask.

SHIN H, CHOI J, LEE Y, HAN G, CHOI J Y, HAN G H, LEE Y H, SHIN H J