国家/地区 中国（2） 日本（2） 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/02（2）
发明人
公开年
申请年
专利权人

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

New graphene comprising a structure of carbon atoms partially substituted with boron atoms and nitrogen atoms, where the graphene has a band gap, useful in a channel of a transistor.

LEE S, SEO S, WOO Y, CHUNG H, HEO J, LEE S H, SEO S A, WOO Y S, CHUNG H J, HEO J S, HUN L S