国家/地区 中国（2） 台湾（2） 美国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） C23（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C23C016/26（2）
发明人 HUANG K（2）
公开年
申请年
专利权人 IND TECHNOLOGY RES INST（2）

Processing method for growing metal-doped graphene, involves performing plasma enhanced chemical vapor deposition process with carbon precursor, metal precursor, and predetermined element precursor to form metal-doped graphene.

HUANG K, CHI Y, JI Y

Method for forming e.g. multi-layered graphene layer deposited on glass substrate, involves utilizing microwave with electron cyclotron resonance mechanism to excite carbon-containing gas to deposit graphene layer on substrate.

HUANG K, CHANG C, HSIEH Y, CHIU P, MEDINA H, QIU B, XIE Y, ZHANG Z, MEDIONA H, HUANG K P, CHANG C C, HSIEH Y T, CHIU P W