国家/地区 韩国（3） 美国（3） 欧洲专利局（EPO）（2） 日本（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（4）
IPC大类 C01（4） B01（2） B82（2）
C23（2）
IPC小类 C01B（4）
IPC C01B031/02（4） C01B031/04（2） C01B032/186（2）
C23C016/26（2）
发明人 HWANG C（4）
公开年 2011（2）
申请年 2011（2） 
专利权人

Manufacture of monocrystal graphene film for semiconductor device, involves forming polycrystalline graphene on substrate using hydrocarbon gas, growing graphene film, forming catalyst, heating and recrystallizing.

HWANG C, HWANG C Y

Graphene coated sheet for surface-treated steel plate used in e.g. car material, has graphene layer that is formed on steel sheet structure.

HWANG C C, JUNG Y G, HWANG H N, JEONG J I, YANG J H, JUNG Y, JEONG J, YANG J, HWANG H, HWANG C, GUK H C, IN J J, HUN Y J, GYUN J Y, NA H H

Producing graphene, useful in spintronic device, comprises spacing source of silicon from silicon carbide substrate in pressure vessel, reducing pressure to vacuum and heating silicon source to evaporate silicon and heating the substrate.

LANZARA A, SCHMID A K, YU X, HWANG C, KOHL A, JOZWIAK C M

Manufacture of graphene microtube used as material for e.g. artificial blood vessel, involves depositing carbon on metal wire surface and etching.

HWANG C, HA D H, KOO J Y, YOO K J, YONG H C, HAN H D, YONG G J, JAE Y G