国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） C09（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/04（2）
发明人 WANG H（2）
公开年 2014（2）
申请年 2013（2）
专利权人 SHANGHAI INS.（2）

Preparation of graphene-based chip cooling material by reacting substrate, heating, plasma treating, depositing graphene, forming, cooling and transferring.

LIU J, XIE X, WANG L, ZHANG Y, WANG H

Manufacture of vertical-graphene heat-radiating material involves performing plasma pretreatment of growth substrate, carrying out plasma enhanced chemical vapor deposition on growth substrate, and transferring vertical-graphene.

WANG H, XIE X, WANG L, ZHANG Y, LIU J