国家/地区 中国（2） 韩国（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2） C01（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（2）
IPC B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） C01B031/04（2）
H01L031/0352（2） H01L031/18（2）
发明人 JIN C（2）
公开年
申请年 2014（2） 
专利权人 UNIV KYUNGHEE IND COOP（2）

Tunneling diode used for diode-based optoelectronic device, consists of silicon quantum dot layer formed on silicon oxide thin film, doped layer having structure having graphene-silicon quantum dot hybrid structure, and electrode.

CHOI S H, SHIN D H, KIM S, SUK H C, DONG H S, SUNG K, CHIO S, SHIN D, JIN C

Photodiode useful in optoelectronic device, comprises e.g. a silicon quantum dot layer containing silicon quantum dots formed on silicon oxide thin film and a graphene-silicon quantum dot hybrid structure formed on silicon quantum dot layer.

SUK H C, DONG H S, SUNG K, CHOI S H, SHIN D H, KIM S, CHIO S, SHIN D, JIN C, DONGHEE S, SHIGAO C, SUNGKIM