国家/地区 中国（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC
发明人 ZHANG F（2）
公开年 2012（2）
申请年
专利权人

Structural graphene production on silicon carbide substrate for manufacturing microelectronic devices includes depositing layer of silicon dioxide as mask, coating mask surface, and exposing to form structured pattern.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG Y, ZHANG K, ZHANG F

Method for preparing patterned graphene film, involves soaking substrate in acetone or photoresist peeling solution to remove photoresist or poly(methyl methacrylate) on graphene film to obtain patterned graphene film.

DAI T, YAO Q, ZHANG F