国家/地区 韩国（4）
IPC部 B（4）
IPC大类 B01（4）
IPC小类 B01J（4）
IPC B01J037/34（4）
发明人 CHA S W（2） HONG B H（2） HONG S Y（2）
JUNG M H（2） KIM K E（2） KIM K H（2）
MAENG K S（2） PARK C W（2） PARK S B（2）
公开年 2011（2） 2013（2）
申请年 2012（2） 
专利权人 SRC CORP（2） UNIV SUNGKYU.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Pre-processing method of catalyst metal layer during formation of graphene, involves activating catalyst metal layer by applying plasma of process gas containing reducible gas and nitrogen-containing gas to catalyst metal layer.

MATSUMOTO TAKASHI, MATSUMOTO T

Producing graphene, comprises forming structures on surface of face-centered cubic metal catalyst substrate having specified orientation, and supplying hydrocarbon to substrate.

KIM K H, MAENG K S, PARK C W, CHA S W, HONG S Y, HONG B H, JUNG M H, KIM K E, PARK S B, BEOM P S, EUN K G, HUI H B, HUI J M, HYEONG K G, SEOP M G, U P C, WON C S, YEON H S

Manufacture of graphene involves using face centered cubic metal catalyst with single oriented texture.

CHA S W, HONG B H, HONG S Y, JUNG M H, KIM K E, KIM K H, MAENG K S, PARK C W, PARK S B

Fabricating graphene to fabricate FET, comprises forming alloy catalyst layer on substrate using sputtering method and/or evaporation method, and forming graphene layer on alloy catalyst layer by supplying hydrocarbon gas onto substrate.

WOO Y, SEO D, SEO S, CHUNG H, KANG S, HEO J, SEO S A, CHUNG H J, KANG S R, HEO J S, WOO Y S, JUNG H J, HUH J S, YEO R, XU D, HUH J, JUNG H