国家/地区 欧洲专利局（EPO）（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B32（2） B82（2） C01（2）
IPC小类 B32B（2）
IPC B32B009/04（2）
发明人
公开年 2010（2）
申请年 2009（2） 
专利权人

Manufacture of graphene/silicon carbide composite material for electronic component e.g. semiconductor, involves removing oxide film from surface of silicon carbide single crystal substrate, exposing and heating.

KUSUNOKI M, NORIMATSU W

Nanocomposite material useful in energy storage device such as electrochemical device and lithium ion battery, comprises metal oxide bonded to graphene layer.

AKSAY I A, CHOI D, LIU J, WANG D, YANG Z, AKSAY I, GRAFF G L, NIE Z, VISWANATHAN V V, ZHANG J, XU W, KIM J Y