国家/地区 中国（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3）
IPC小类 B82Y（3）
IPC B82Y030/00（3） C01B031/02（3） C01B031/04（3）
B82B003/00（2） B82Y040/00（2） C01B032/188（2）
C30B029/02（2） H01L031/04（2）
发明人 VEERASAMY V（3） VEERASAMY V S（3）
公开年 2011（3）
申请年 2009（3）
专利权人 GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3）

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Method for isolating graphene thin film involves causing graphene thin film and polymer-based coating to be released from catalyst thin film, after curing polymer-based coating.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Solar cell comprises graphene-based conductive layer located on glass substrate, and another second graphene-based conductive layer in contact with semiconductor layer that is located in absorbing layer.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V