国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC
发明人 LEE C（2） LEE C S（2） LEE J（2）
公开年
申请年
专利权人 LEE C（2）

Wiring structure for electronic device comprises conductive material layer and nanocrystalline graphene layer.

LEE C, SHIN H, PARK S, IM D, PARK H, SHIN K, LEE J, LIM H, LEE C S, SHIN H J, PARK S J, IM D H, SHIN K W, LEE J M, LIM H J, PIAO X

Manufacturing method of graphene device e.g. FET , nanogap device, graphene sensor involves etching protection layer until residual layer made of material for forming protection layer remains on active area of graphene layer.

LEE J, JEON T, KIM Y, LEE C, JUNG Y, LEE J H, JEON T H, KIM Y S, LEE C S, JUNG Y S