国家/地区 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2）
IPC小类 B82Y（2）
IPC B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） C01B031/04（2）
发明人 MAAROUF A（2）
公开年 2013（2）
申请年 2011（2） 
专利权人 EGYPT NANOTE.（2） INT BUSINESS.（2）

Producing graphene nanomesh based charge sensor, by generating holes in graphene to create graphene nanomesh, passivating edge of each hole of mesh, functionalizing passivated edge of each of holes of nanomesh with chemical compound.

AFZALIARDAKANI A, HAN S, KASRY A, MAAROUF A, MARTYNA G J, NISTOR R, TSAI H

Formation of patterned graphene layer on substrate used for low-noise amplifier, involves forming patterned structure(s) of carbide-forming metal or metal-containing alloy on substrate, applying layer of graphene and heating.

AFZALIARDAKANI A, MAAROUF A, MARTYNA G J, SAENGER K, AFZALIARDAKANI A C O I