国家/地区 韩国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C23C016/30（2）
发明人 LEE S（2）
公开年
申请年
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2）

Seamless hexagonal boron nitride atomic monolayer thin film used for fabricating graphene device, has pseudo-single crystal structure having seamlessly merged boron nitride grains having preset dimension.

SUH H, SONG Y, WU Q, LEE S, KIM M, PARK S, KIM M W, LEE S J, PARK S W, SONG Y J, SUH H S

New graphene comprising a structure of carbon atoms partially substituted with boron atoms and nitrogen atoms, where the graphene has a band gap, useful in a channel of a transistor.

LEE S, SEO S, WOO Y, CHUNG H, HEO J, LEE S H, SEO S A, WOO Y S, CHUNG H J, HEO J S, HUN L S