国家/地区 中国（3）
IPC部 B（3） C（3）
IPC大类 B82（3）
IPC小类 B82Y（3）
IPC B82Y040/00（3） C01B031/04（3） B82Y030/00（2）
C23C016/02（2） C23C016/26（2）
发明人 DING G（3）
公开年 2012（3）
申请年 2011（2） 
专利权人 CHINESE ACAD.（3） SHANGHAI INS.（3） DING G（2） XIE X（2）

Preparation of graphene by selecting substrate material, depositing directly catalyst and tetrabromomethane on substrate surface, and annealing substrate.

DI Z, DING G, GONG Q, LIU Q, WANG H, WANG S, XIE X

Manufacture of graphene nano belt for electric component, involves preparing single atom layer and forming layer on insulating substrate, and directly growing.

CHEN J, DING G, JIANG M, TANG S, WANG C, XIE X

Hexagonal boron nitride substrate used for manufacturing graphene nano belt used in electronic device, consists of boron nitride substrate layer and single atom layer.

DING G, JIANG M, TANG S, XIE X