国家/地区 中国（3）
IPC部 C（3） H（2）
IPC大类 C01（3）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B031/04（3） C01B031/02（2） C07C025/22（2）
H01L051/50（2）
发明人 FENG X（2） MUELLEN K（2） MULLEN K（2）
公开年 2014（3）
申请年 2013（3）
专利权人 BASF CHINA C.（2） BASF SE（2） MAX PLANCK G.（2）

Preparing technetium-labeled -99m graphene oxide, by reacting modified alknyl ligand compound and azide-functionalized graphene oxide to obtain crude product and then purifying, and dissolving reactant with hydrochloric acid.

HUANG Q, JIA L, LI J, PENG C, ZHANG L, JIANG D

Edge-halogenation of graphene material used for electronic/optical/optoelectronic device involves reacting graphene material e.g. graphene, graphene nanoribbon, and/or graphene molecule with halogen-donor compound in presence of Lewis acid.

HINTERMANN T, MUELLEN K, FENG X, TAN Y, MULLEN K, TAN Y Z

New oligophenylene monomer useful in polymeric precursor for preparing graphene nanoribbons that used are in thin film semiconductor of electronic, optical, or optoelectronic device e.g. organic field effect transistor device.

MUELLEN K, FENG X, CAI J, RUFFIEUX P, FASEL R, NARITA A, TSAI J, MULLEN K, MILLEN K