国家/地区 欧洲专利局（EPO）（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2） C01（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（2）
IPC B82Y040/00（2）
发明人
公开年
申请年 2009（2）
专利权人 COMMISSARIAT.（2）

Manufacturing structure comprising semiconductor substrate and modified graphene layer, comprises supplying initial structure comprising standard graphene layer, and hydrogenating initial structure with exposure dosage of hydrogen gas.

CHIANG S, ENRIQUEZ H, OUGHADDOU H, SOUKIASSIAN P, TEJEDA G A, VIZZINI S, TEJEDA GALA A, GALA A T

Separation of metal graphene single layer carbon nanotubes and semi-conductor graphene single layer nanotubes comprises reacting diazonium salt derivative to mixture of the metal graphene nanotube and the semi-conductor nanotube.

CHENEVIER P