国家/地区 台湾（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC
发明人 LIN C（2）
公开年 2022（2）
申请年 2021（2） 
专利权人

Semiconductor device, comprises substrate and fin structure on substrate, and includes epitaxial region, etch stop layer on epitaxial region, interlayer dielectric layer on etch stop layer, and metal contact through etch stop layer and interlayer dielectric layer.

SHEN T, HUANG J, CHEN S, LIN H, LIN C, WOON W, KHADERBAD M A

Forming graphene on flexible substrate, involves providing polymer substrate including metal structure, carbon source and carrier gas, and subjecting polymer substrate to plasma enhanced chemical vapor deposition process.

TSENG C, LIN C, YEH N, LEU C, LU C