国家/地区 中国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 C01（2） C23（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/04（2）
发明人
公开年 2015（2）
申请年
专利权人

Method for modifying e.g. I-V characteristics, of graphene i.e. semiconductor film, involves placing graphene film in vacuum environment, and radiating graphene film with electron beam to obtain graphene material.

HUANG C, CHU C, CHIU S, WANG C, WEI C, CHUNG C, WU B, HUANG J, QIU S, WANG J, ZHU J, WEI J, ZHONG C, HUANG C H, CHU C W, CHIU S M, WANG C C, WEI C M, CHUNG C J, WU B H

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K