国家/地区 日本（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C07（2）
IPC小类 C07B（2）
IPC C07B061/00（2） C07C025/22（2） H01L051/05（2）
H01L051/30（2） H01L051/40（2）
发明人
公开年 2014（2）
申请年 2013（2）
专利权人

Organic-semiconductor film used for channel in transistor structure, has pseudo graphene structure including two-dimensional network structure which is formed continuously.

KAGAYA M, MATSUMOTO T, KATO D, KATO T

Edge-halogenation of graphene material used for electronic/optical/optoelectronic device involves reacting graphene material e.g. graphene, graphene nanoribbon, and/or graphene molecule with halogen-donor compound in presence of Lewis acid.

HINTERMANN T, MUELLEN K, FENG X, TAN Y, MULLEN K, TAN Y Z