国家/地区 台湾（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 C01（3） C07（3） B82（2）
H01（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B031/02（3）
发明人 MILLEN K（2） MUELLEN K（2）
公开年
申请年 2013（3） 
专利权人 BASF CHINA C.（2） BASF SE（2） MAX PLANCK G.（2）

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Synthesizing graphene nanoribbon used in e.g. field effect transistor or bipolar junction transistor, comprises polycyclization of linearly conjugated aryl compounds to provide graphene nanoribbon precursor.

KLEIN J P

Graphene nanoribbon used for e.g. spintronic device, contains repeating unit having modification(s) chosen from heteroatomic substitution, vacancy, stone-wales defect, inverse stone-wales defect, and hybridized carbon network.

FASEL R, RUFFIEUX P, MUELLEN K, CAI J, FENG X, BERGER R, TSAI J, CAI Y, MULLEN K, MILLEN K