国家/地区 中国（3） 欧洲专利局（EPO）（3） 日本（3） 韩国（3） 美国（3） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（4）
IPC大类 C01（4）
IPC小类 C01B（4）
IPC C01B031/02（4） B82Y030/00（2） B82Y040/00（2）
C01B031/04（2）
发明人
公开年 2014（4）
申请年 2013（2） 
专利权人

Graphene film used in an electrode is obtainable by epitaxially growing metal layer on surface of substrate, peeling off the metal layer, and depositing graphene onto surface of metal layer.

WODTKE A, YU H K, ALEC W, HAK KI Y, YU H, YUK H K, YUK H

Thermoelectric composite material useful in thermoelectric generators comprises a metal oxide material; and graphene or modified graphene dispersed throughout the metal oxide material.

FREER R, NORMAN C, LIN Y, SRIVASTAVA D, KINLOCH I

Formation of band-gap in graphene raw material used for e.g. light reception and light-emitting devices, involves forming graphene film on surface having nanosize porous holes active on graphene.

HASUO T, KUBOTA H, FUKUYAMA H, HOMMA Y, SAITO S, MASUDA H

Apparatus for manufacturing device used for preparing graphene for electronic circuit, comprises graphene structure including metal catalyst layer formed on substrate, protection layer, and graphene layer, and power unit.

LEE J, JUNG Y, KIM Y, LEE C, MOON C, LEE J H, JUNG Y S, KIM Y S, LEE C S, MOON C Y, MUN Z R