国家/地区 中国（3） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（3） B（2）
IPC大类 C01（3） C23（3） C30（3）
B82（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B031/04（3）
发明人 DING G（2） XIE X（2）
公开年 2012（2）
申请年
专利权人 SHANGHAI INST MICROSYSTEM INFORMATION（3）

Selection of qualified region of chemical vapor deposited graphene film during fabrication of microelectronics, involves heating chemical vapor deposited graphene film formed on metal substrate using reaction gas, and removing defect.

CHEN Z, LI X, SUI Y, WANG B, ZHANG H, ZHANG Y, YU G

Preparation of graphene by selecting substrate material, depositing directly catalyst and tetrabromomethane on substrate surface, and annealing substrate.

DI Z, DING G, GONG Q, LIU Q, WANG H, WANG S, XIE X

Hexagonal boron nitride substrate used for manufacturing graphene nano belt used in electronic device, consists of boron nitride substrate layer and single atom layer.

DING G, JIANG M, TANG S, XIE X