国家/地区 美国（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3） C30（3） C01（2）
C23（2）
IPC小类 B82Y（3）
IPC B82Y040/00（3）
发明人 WANG H（3）
公开年 2012（2）
申请年 2012（2） 
专利权人 SHANGHAI INS.（2） WANG H（2）

Graphene boundary control method comprises providing an insulating substrate, placing in a growth chamber, introducing first reaction gas and controlling the flowrate of first reaction gas.

WANG H, CHEN L, HE L, XIE H, WANG X, XIE X

Manufacturing electrode, used in e.g. supercapacitor, comprises using precursor particles to form nanoparticles on graphene sheet and diffusing and re-crystallizing nanoparticles to form single-crystal structure on surface of graphene sheet.

DAI H, WANG H

Preparation of graphene by selecting substrate material, depositing directly catalyst and tetrabromomethane on substrate surface, and annealing substrate.

DI Z, DING G, GONG Q, LIU Q, WANG H, WANG S, XIE X